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IMPATT太赫兹源

IMPATT太赫兹源

IMPATT太赫兹源英文名为THz Source,其使用IMPATT技术,是一种能高效的产生微波和太赫兹波的光学器件。TeraSense推出升级版的IMPATT太赫兹源,升级后的THz源配备了保护隔离器,可显着提高输出功率和稳定性。在100 GHz频率下,配备保护隔离器后,输出功率可达80~400mW,具有符合人体工程学的设计和易用性。。IMPATT太赫兹源又称为太赫兹发生器,崩雪二极管。

所属品牌: 美国TeraSense

应用类型:

产品型号:IMPATT diode@100GHz

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100GHz-300GHz,窄线宽<1MHz最大功率400mW, IMPATT太赫兹源

 

IMPATT太赫兹源又名崩雪二极管,是一类稳定高效的微波和亚太赫兹波发生器件,其频率范围高达100-300GHz,线通常较窄宽<1MHz。美国TeraSense公司现为IMPATT太赫兹源配备了保护隔离器,升级后更突出了其高功率输出和稳定性。在100 GHz工作频率下,配备保护隔离器后,输出功率可达80~400mW。除了高输出功率之外,IMPATT太赫兹源还具有精巧紧凑的人体工学设计,性价比高和寿命长的特点。IMPATT具有非常窄的工作频率线宽,所以二极管内部尺寸必须根据响应的频率来设计。TeraSense还可提供THz源的衰减器和开关部分。

 

IMPATT二极管技术:

IMPATT 二极管技术在1958年就贝尔实验室的W. Т. Read最早提出,该技术能在几GHz到几百GHz的频率范围内产生亚太赫兹波。IMPATT二极管英文全称为:“Impact ionization Avalanche Transit-Time二极管”,也称为雪崩二极管,通常用于高频微波器件,指的是一类高功率半导体二极管。

与其他类型的二极管发电机相比,IMPATT二极管最显著的特点是高功率且供电稳定,使用寿命长。IMPATT diode是一种具有负阻特性的周态微波二极管,其特性系由薄基片中的碰撞雪崩击穿效应和载流子渡越时间效应结合产生,基片通常由砷化镓或硅材料制成。当将这种二极管安装在可调谐腔体或波导中时,由载流子渡越时间引起的负阻被用作振荡器以产生微波振荡。


IMPATT二极管技术特点:

大功率(~100mW

供电稳定,固定频率

体积小,低成本,使用寿命长

 

IMPATT太赫兹源的产品特点:

IMPATT技术

输出频率:100GHz140GHz200GHz300GHz

配有保护隔离器,增强了稳定性和输出功率,高功率输出:10mW-400mW

窄线宽<1MHz,调制上升沿时间1us

       高性价比,元件尺寸精巧紧凑


IMPATT太赫兹源(100GHZ 300GHZ)型号参数:

型号

IMPATT diode@100GHz

IMPATT diode@140GHz

IMPATT diode@200GHz

IMPATT diode@300GHz

操作频率

100GHz

140GHz

200GHz

300GHz

TTL调制

1μs上升或下降时间

输出功率

~80/180/400 mW

~30/90 mW

~10/50 mW

~10/25 mW

天线/法兰

严格固定/WR-8 WR-10

严格固定/WR-6

严格固定/WR

严格固定/WR

保护隔离器

Protective Isolator

Protective Isolator

-

-

频率线宽

<1MHz

工作电压

15-16v

工作电流

110-120mA

可选模块

TTL调制模块,1us上升沿时间  ;  锥形天线  ;  高功率模块>40mw

 

 

 

 

文献资料

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