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光折变晶体 BSO,Fe:LiNbO3,SBN,BGO晶体

光折变晶体 BSO,Fe:LiNbO3,SBN,BGO晶体

立陶宛Optogama提供BSO,Fe:LiNbO3、SBN和BGO晶体,它们主要用于开发光折变效应的应用。硅酸铋(Bi)12SiO20,bso)晶体是一种高效率的光导材料,暗导率低,允许大量的光诱导空间电荷的积累。铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe:LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能,是一种很有吸引力的光折变材料。铌酸锶钡晶体具有优良的光学和光折变性能。锗酸铋晶体是一种高效率的光导材料,具有低的暗电导率,它允许大量的光诱导空间电荷的积累。

所属品牌: 立陶宛Optogama

应用类型:

产品型号:BSO晶体、Fe:LiNbO3晶体、SBN晶体、BGO晶体

负责人:杜工 光学镜片及晶体
联系电话:13691926712 电子邮箱:duchong@welloptics.cn

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光折变晶体BSO晶体、、FeLiNbO 3晶体、SBN晶体、BGO晶体

 

光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中,当相干光相互干扰时观察到,光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图,也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。Optogama提供4Lasers品牌的BSOFeLiNbO3SBNBGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。

硅酸铋(Bi)12SiO20bso)晶体是一种高效率的光导材料,暗导率低,允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围:空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体,其孔径可达3英寸。

铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(FeLiNbO)LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能,是一种很有吸引力的光折变材料。FeLiNbO3晶体采用Czochralsky法生长,尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是,FeLinbo3晶体操作方便,成本低,适合批量生产。

SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的,被CeCrCoFe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体,采用改进的Stepanov法生长,线性尺寸可达40 mm

锗酸铋(Bi12GeO20BGO)晶体是具有低暗电导率的高效光电导体,可以积累大量光致空间电荷。

 

硅酸铋晶体主要特点:

-高电光系数(r41=5pm/v)

-高相位共轭效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根据要求定制

 

BSO晶体主要应用:

       -空间光调制器

-光开关

-相位共轭混合器。

 

BSO晶体的技术特性:

化学公式

Bi12SiO20

晶体结构

立方体,点编组23

晶格参数

10.10 a

密度

9.2/cm3

Mohs硬度

5

透明度范围

0.45-6μm

折射率

2.5

光学活性

42deg/mm

电光系数

r41 = 5 pm/V

介电常数(低频)

56

暗电阻

1014 Ohm cm

 

BSO晶体的产品规格:

透明孔径

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

40-20 S-D

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

无涂层

 

硅酸铋晶体产品型号

SKU

面尺寸

厚度

定向

价格(RMB

1558

30×30毫米

1.0毫米

[110]

5500

6880

20x20毫米

1.0毫米

[110]

4500

6881

20x20毫米

1.0毫米

[100]

4500

6882

10x10毫米

5毫米

[110]

6500

6883

10x10毫米

5毫米

[100]

6500

6884

5x5毫米

5毫米

[110]

4800

6885

5x5毫米

5毫米

[100]

4900

9095

30×30毫米

1.5毫米

[110]

5600

 

铌酸锂晶体主要特点:

-高电光系数(r41=5pm/v)

-高相位共轭效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根据要求定制

LiNbO3晶体的主要应用:

-空间光调制器

-光开关

-全息记录

-光波导

 

LiNbO3晶体技术特性:

化学公式

FeLiNbO3

晶体结构

三角形,3m

密度

4.64/cm3

Mohs硬度

5

透明度范围

0.35-5.5μm

折射率@063μm

ne = 2.20, no = 2,29

电光系数

r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V

介电常数

e11 = 85,e33 = 30

 

铌酸锂晶体产品规格:

Fe2O3

0.1 mol. %0.05 mol. %0.03 mol. %0.02 mol. %

定向

90°切割(X-切割,Y-切割)

透明孔径

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<3 arcmin

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

20-10 S-D

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

无,可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层

电极

无,可根据要求提供

 

铌酸锂晶体产品型号:

SKU

面尺寸

长度

掺杂水平

价格(RMB

4052

10x10毫米

5毫米

005%Fe2O3

请求

6457

10x10毫米

5毫米

002%Fe2O3

请求

6458

10x10毫米

5毫米

003%Fe2O3

请求

7005

10x10毫米

5毫米

01%Fe2O3

请求

7006

10x10毫米

1毫米

002%Fe2O3

4000

7007

10x10毫米

1毫米

003%Fe2O3

4000

7008

10x10毫米

1毫米

005%Fe2O3

4000

7009

10x10毫米

1毫米

01%Fe2O3

4000

7010

20x20毫米

1毫米

002%Fe2O3

请求

7011

20x20毫米

1毫米

003%Fe2O3

请求

7012

20x20毫米

1毫米

005%Fe2O3

请求

7013

20x20毫米

1毫米

01%Fe2O3

请求

 

 

SBN晶体的主要特点:

-Ce,CrCoFe纯掺杂

-有效相位共轭

-定制尺寸,掺杂水平,无极化,减反射涂层和没有电极晶体可根据要求

 

SBN晶体的主要应用:

-光学信息记录

-热释电探测器

-自泵浦自共轭镜

-光学相关器

 

SBN晶体的技术特性:

构图

SBN61

SBN75

晶体结构

四边形,4毫米

四边形,4毫米

晶格参数

a = 12,46 Å, c = 3,946 Å

a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å

密度

5,4 g/cm3

5,4 g/cm3

Mohs硬度

5.5

5.5

熔化温度

1480°C

1480°C

居里温度

75°C

56

透光度范围

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

折射率@633 nm

no = 2.3103,ne = 2.2817

no = 2.3117,ne = 2.2987

Δn@633 nm

-0.0286

-0.0130

传动

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

半波电压(λ/2)

240 V

60V

介电常数(T=293 K)

900

340

电光系数

R13=45 pm/V,R33=250 pm/V

R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V

热释电系数

0.065μC×cm-2×K-1

0.28μC×cm-2×K-1

介电常数

880

3400

 

SBN晶体的产品规格:

定向

沿四方轴的短边

波林

极化

电极

碳水电极

透明孔径

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.1 mm at 45°

表面质量

20-10 S-D通过透明光圈,60-40 S-D其他表面

表面平整度

<λ/4@6328 nm

涂层

无涂层

 

SBN晶体的产品型号:

SKU

材料

面尺寸

长度

掺杂

价格(RMB)

6940

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0002 wt%

15000

6941

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0002 wt%

18500

6942

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0002 wt%

24000

6943

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0002 wt%

30000

6944

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 001 wt%

15000

6945

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 001 wt%

18800

6946

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 001 wt%

22000

6947

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 001 wt%

30000

6948

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 01 wt%

15000

6949

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 01 wt%

18500

6950

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 01 wt%

24000

6951

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 01 wt%

30000

73

SBN61

5x5毫米

5毫米

未掺杂

15000

74

SBN61

5x5毫米

10毫米

未掺杂

18500

75

SBN61

5x5毫米

15毫米

未掺杂

24000

76

SBN61

5x5毫米

20毫米

未掺杂

30000

 

BGO晶体的主要特点:

-高电光系数(r41=35 pm/v)

-低暗电导

-大尺寸元件或晶片最多可达3

-可根据要求定制

 

BGO晶体的主要应用:

-空间光调制器

-光开关

-光学相关器

 

BGO晶体的技术特性:

化学公式

Bi12GeO20

晶体结构

立方体,点编组23

晶格参数

10.15 a

密度

9.2/cm3

传输范围

0.45-7

折射率@0.63m

2,55

光学活性@500 nm

41.5/毫米

电光系数r41

3.5 pm/V

介电常数

40

暗电阻

1014 Ohm cm

 

BGO晶体的产品规格:

透明孔径

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度误差

<30 arcsec

保护槽

<0.3 mm at 45°

表面质量

40-20 S-D

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

无涂层

 

BGO晶体的产品型号:

SKU

面尺寸

长度

定向

价格(RMB)

6868

5x5毫米

5毫米

[110]

5600

6871

5x5毫米

5毫米

[100]

5600

6872

10x10毫米

5毫米

[110]

8500

6873

10x10毫米

5毫米

[100]

8500

6874

20x20毫米

1毫米

[110]

5000

6875

20x20毫米

1毫米

[100]

5000

6876

30×30毫米

1毫米

[110],边与<001>平面±2deg平行

6000

6877

30×30毫米

15毫米

[110]

6000

 

文献资料

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