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大功率光束分析仪

大功率光束分析仪

以色列DUMA为检测大功率激光的需求提供了一系列大功率激光光束质量分析仪,为高功率光束分析仪特别设计的风冷采样器采样率可达到1.1×10-5,这款采样器可以与大功率光束分析仪完美匹配,进行高达4KW激光功率的实现测量。DUMA的采样器配合多种CMOS传感器以及刀口式检测探头(机械式),无论是连续激光还是脉冲激光,都可以实现精准测量。

所属品牌: 以色列Duma Optronics

应用类型:

产品型号:LAM Beam Analyzer, LAM U3, M2 Beam HP

负责人:孙工 激光分析诊断设备
联系电话:13692216712 电子邮箱:zmsun@welloptics.cn

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直接测量千瓦激光器的大功率激光光束分析仪


大功率激光光束质量的测量一直是激光行业的一个难点和痛点。无论是CMOS/CCD传感器还是刀口式检测原理,都无法承受大功率激光的直接接收,因为CMOS传感器或者CCD传感器的灵敏度都很高,仅可以承受到微瓦到毫瓦的功率范围,这使得大功率激光无法实现直接检测,这会导致因激光功率过高而直接损坏传感器,哪怕使用衰减片(ND)仍无法满足,甚至需要配合多个衰减片进行一个整体组合后才可使用,这会使得激光整体模式受到不可估计的影响。

以色列DUMA公司近期研制出一款风冷采样器,通过压缩空气降温的原理来实现冷却。该采样器可以提供1.1×10-5的采样效率,相比于衰减片(ND)而言,效率更高,且适用于多种场合。该采样器可以与现有光束质量分析仪相匹配,出厂即完成装配,可以满足用户对于高功率激光的检测,对于连续激光,最高可承受4KW的功率。

我司为用户提供两种系列光束质量分析仪,LAMM2-Beam,其中LAM可用于检测工作面上的聚焦激光其检测原理为刀口式测量原理,仅可检测连续激光(CW),M2-Beam的普通型号同样采取刀口式测量原理。当然,为了满足用户对于脉冲激光(Pulsed)的检测需求,我们也提供CMOS传感器版本(-U3型号)。

以上机型均可安装风冷采样器,SAM-HP-M。需要注意的是,在测量大功率激光时,连续曝光时间不能超过5s。并且高功率机型出厂后,风冷采样器处于已装配状态,原则上讲我们不提倡用户将其拆卸,因为其中涉及到接收对准和安装工艺问题,这会导致拆卸后无法安装的问题存在,基于更小的灵敏度,仪器哪怕装载了风冷采样器,对于小功率激光仍具备一定的探测能力。


大功率光束分析仪的核心部件——风冷采样器规格参数:

型号

SAM3-HP

光谱范围

250-2000nm

采样系数

1.1×10-5

外型尺寸

40 mm dia. × 31 mm length

通光孔径

8 × 8 mm

从输入到采样表面的最小光路

25mm(视具体型号而定)


LAM大功率激光光束质量分析仪产品规格参数:

LAM-BA

LAM-U3

传感器类型

硅基,使用刀口法测量技术

CMOS

刀口数

7

-

光谱范围:

硅:350-1100nm

350-1310nm

功率范围@900/1070 nm

最高4KW(需要衰减片和高压空气风冷,可能会有一些限制)

连续激光1-2500W,脉冲激光1-1000W

光斑尺寸范围

35微米至8毫米

75微米-6毫米

分辨率(H × V像素)

根据光束大小自适应

1920 ×1200

传感器有效尺寸

9 × 9

11.34 × 7.13

工作距离

49mm

从输入表面到传感器的光学距离为40.7±0.2毫米

最高BPP

最大输入角度-25deg

最大输入角度-25deg

最大功率密度

1,000,000 W/cm2

1,000,000 W/cm2

光束宽度精度

± 1.5

± 1.5

功率精度

± 5

± 5

工作温度

0-35

0-35

M2-Beam 大功率光束分析仪产品规格:

-输入光束

M2Beam

M2Beam U3

技术工艺

刀口式扫描原理,应用Si探测器,InGaAs探测器和增强型InGaAs探测器

USB 3.0接口

CMOS 2.4MP

内置过滤论

光谱响应(nm

SI传感器:350-1100

InGaAs传感器:800-1800

Enhanced InGaAs 传感器:800-2700

VIS-NIR350-1600

UV-NIR220-1350

激光功率范围

Si100 μW-1 W(带衰减片)

InGaAs&UV100 μW-5 mW

HP4 kW以下

10μW-100mW,内置滤光轮

HP4 kW以下

刀口数

7

光束尺寸

带透镜高达25mm直径(Si&UV版本)

束腰到透镜距离

2.0~2.5米最佳

最小2


-扫描装配附件

材质

透镜焦距

300mm(在632.6nm时)

透镜直径

25mm

扫描次数

140

最小步进尺寸

100μm

扫描长度

280mm


-整机

重量

2.5kg

尺寸

100×173×415 mm

托架

M61/4“固定

机械调整

水平角:±1.5°

垂直角:±1.5°

电缆长度

2.5m

高功率光束分析仪订购型号及描述:

LAM-BA: 7-blades, Si detector with high power attenuator and mounting adapter

LAM-U3: A camera for 350 –1310 nm with motorized built-in filter wheel with high power attenuator and mounting adaptor, a set of interchangeable filters,

M2Beam-Si – measurement device for silicon range (350 – 1100nm)

M2Beam-UV – measurement device for silicon range (190 – 1100nm)

M2Beam-IR – measurement device for silicon range (800 – 1800nm)

M2Beam-U3-VIS-NIR - measurement device for 350-1600 nm CMOS based

M2Beam-UV-NIR – Special – consult factory.

SAM3-HP-M – beam sampler for high power beams


文献资料

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