Opto Diode X射线探测器，极紫外光电探测器一览

Opto Diode极紫外光电探测服务于各种行业，包括航空航天，汽车，生物技术，食品加工、医疗、军事/国防、工业、半导体设备制造，测试和测量。Opto Diode提供先进的性能传感器，从极端紫外线(UV)到中红外(mid-IR)。产品提供无与伦比的高能粒子，电子，x射线和紫外线检测，并具有卓越的灵敏度，可以在中红外光谱鉴别微量气体或探测热、火花或火焰。Opto Diode探测器有一系列型号，下面主要介绍AXUV系列探测器、SXUV光电探测器和UVG光电探测器。

AXUV系列探测器具有从0.0124nm到190nm的光子，卓越内部量子效率，可检测100eV至50keV的能量。UVG光电探测器在宽温度范围内具有稳定的响应性，即使在紫外光190nm至400nm暴露也有很长寿命。SXUV光电探测器具有出色的13.5nm光刻功能，在1nm至190nm的极端紫外照射下具有稳定的响应能力，具有更高的整体响应率、低噪音，优越的辐射硬度、有效面积为圆形、高光子通量鲁棒性等优点。

一、X射线探测器（AXUV）

AXUV系列探测器具有从0.0124nm到190nm的光子，电子或X射线的高性能测量功能，具有卓越的100%内部量子效率，可检测100eV至50keV的能量。拥有理想的电子防射盖板，环境温度为-10°~40°，工作温度范围-20°C至80°C，铅焊温度260°C。

AXUV系列探测器型号如下：

2. EUV增强型探测器（SXUV极紫外光电探测）/SXUV光电探测器

SXUV系列紫外（EUV）增强型探测器具有出色的13.5nm光刻功能，在1nm至190nm 的极端紫外照射下具有稳定的响应能力，使其成为最关键的EUV光测量的理想选择。具有更高的整体响应率、低噪音，优越的辐射硬度、有效面积为圆形、高光子通量鲁棒性等优点。

极致紫外线(EUV)光电探测器引入低噪声，下面以新的SXUV光电探测器其中的一个型号SXUV20C介绍光电探测器。SXUV20C具有一个大的20mm²圆形有源面积，测量紫外线和功率监测极端紫外线激光器。

SXUV20C是一种低噪声、极端紫外(EUV)光电探测器具有一个大的20mm²的圆形活动区域。这个新设备在1nm到200nm波长有卓越的响应。它是专门设计为很长一段时间内稳定暴露在高强度EUV能量。20mm²的圆形活动区域提供了一个实质性的表面便于对准EUV激光。SXUV20C在极端紫外线环境中具有较高的硬度提供比之前发步SXUV20HS1设备更低的噪音。新光电探测器加入了Opto Diode的SXUV光电二极管家族，具有不同的有源面积尺寸满足您最关键的测量，速度和电源监控性能目标。

特点：附加特性包括高光子通量鲁棒性，最小分流电阻50 MΩ，反向击穿电压(典型)VR: 1R=1μa10伏特，典型电容C:VR=0V3nF。低噪声EUV光电探测器采用行业标准TO-8封装容易集成到大多数紫外线激光系统。操作和储存温度范围分别为-20℃~+80℃和-20℃~+100℃。

SXUV系列型号如下：

3. 紫外增强检测器 (UVG)/UVG光电探测器

UVG系列探测器在宽温度范围内具有稳定的响应性，即使在紫外光190nm至400nm暴露也有很长寿命。这些设备适用于各种应用，包括对UV-A、UV-B、UV-C激光器的激光监测。

光电二极管提供各种紫外线增强型探测器，专为重要的医疗应用而设计。UVG系列光电二极管的工作波长范围为 190 nm 至 400 nm，提供圆形和方形两种不同的配置。UVG光电探测器配置易于集成到新的和/或现有的系统中。它们已成功用于激光功率监测、光刻和其他利用紫外线的高功率密度系统。

下面以UVG系列中的其中一个型号紫外线增强探测器UVG20S介绍光电探测器。UVG20S直径5.5毫米，光电二极管是适合190nm到400之间的紫外检测，具有全光谱,光谱波长从190纳米到1000纳米。设备功能在宽温度下具有稳定的响应能力,在200到400nm范围内具有100%内部量子效率从。光电探测器封装有UV石英窗，即环氧胶合在原地制造，它非常适合集成到新的或现有的系统中。圆形有源区装置是专门为高能探测而设计的用于激光功率监测。在254nm的测试条件下，UVG20S探测器的响应度范围从0.105 A/W(最低)到0.115 A/W(典型)。分流器电阻为100 MOhms(典型)，反向击穿电压为50伏特(典型)。在0V偏置时，电容为1.5nF(典型)，响应时间为4微秒(典型的)。储存和工作温度范围-20°C至80°C，铅焊温度260°C。查看典型的光子响应，电容与电压以及暗电流vs电压图