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适用于极紫外光刻的光电探测器, 13.5nm光电二极管

作者: 时间:2024-01-31

13.5nm是一个用于光刻光源,很多客户都喜欢研究极紫外光刻,也就是13.5nm的光作光刻。Optodiode推出直接沉积薄膜滤光片光电探测器SXUV100TF135,是13.5nm探测器,每个探测器都具有一个100平方毫米的有源区和一个直接沉积的薄膜滤光片,用于12nm18nm之间的检测。SXUV100TF135也是极紫外光电二极管,只不过是带了薄膜沉积滤光片。

这种探测器在13.5nm处的典型响应度为0.09A/W,并针对不同的电气性能进行优化。这些13.5nm光电探测器是激光功率监测、半导体光刻和极紫外光计量系统等应用的理想选择。


直接沉积薄膜滤光片光电探测器SXUV100TF135针对更高速度的反向偏置电压运行进行了优化。13.5nm光电探测器SXUV100TF135具有低电容,通常为260pF,反向偏置电压为12伏。

Optodiode光电二极管集成了薄膜滤光片,具有卓越的稳定性和坚固的设计,适用于极端紫外线环境。工作和存储温度范围为-10 °C+40 °C,氮气或真空环境温度范围为-20 °C+80 °CSXUV100TF135在装运时配好保护盖。

1SXUV100TF135 25°C时典型的光子响应图

SXUV100极紫外光电二极管

Optodiode SXUV100极紫外光电二极管可以检测到1nm,在暴露于EUV/UV条件下的稳定响应。SXUV100响应度低,主要是针对极紫外光波段,波长范围短,所以也使它抗干扰性更好。

SXUV100极紫外光电二极管具有卓越的13.5nm光刻能力,在1nm190nm极紫外光曝光下具有稳定的响应度,并且经过专门设计可在高强度EUV能量下长时间保持高度稳定。有效面积是100平方毫米,分流电阻10欧姆(最小值)和反向击穿电压10V(最小值)。

2.SXUV100极紫外光电二极管典型的光子响应图


3代表脉冲能量密度为100uJ/cm2SXUV系列极紫外光电二极管在193157nm激光照射下的响应稳定性,红线代表157nm,蓝色代表193nm

3.SXUV系列光电二极管在193157nm激光照射下的响应稳定性


4显示了SXUV100极紫外光电二极管表面在暴露于能量密度超过1022光子/cm2100 eV光子之前和之后的扫描。箭头表示探测器暴露在同步辐射束中数小时的位置。所用的光束尺寸为0.1mmx 0.5mm,考虑到测量的不确定度,可以得出这样的结论: 在接收上述注量后,二极管的响应没有变化。还请注意,SXUV100二极管的均匀性是在0.1毫米X0.5毫米光束扫描时的百分之几。

4.使用12.4nmSXUV100极紫外光电二极管进行线性扫描前后的结果(1022光子/cm2100eV光子)


5:SXUV100Si/Zr二极管在13.5nm光束照射4x1020 60-110eV光子前后的线扫描


5显示了带了Si/Zr滤光片的SXUV10016mW60-110eV光子暴露13小时后的变化。照射光斑尺寸为0.03mmx0.05mm,总沉积能量为0.75J5kJ/cm2或约4x1020光子/cm2。一般来说添加前置金属滤光片不会明显影响SXUV100极紫外光电二极管的稳定性。带直接沉积薄膜滤光片光电探测器SXUV100TF135对应SXUV100极紫外光电二极管,SXUV100极紫外光电二极管加了滤光片变成了SXUV100TF135


总结

SXUV100TF135和SXUV100规格尺寸一样,都是极紫外13.5nm光电二极管,唯一不同的是SXUV100TF135带有直接薄膜沉积滤光片,SXUV100没有带滤光片。SXUV100TF135适合用于13.5nm,检测的波长范围是12-18nm,超过这个范围响应度超级低,几乎不能再使用了。SXUV100也可以用于13.5nm,但是这个使用的波段范围比SXUV100TF135更长,SXUV100可用于1-190nm



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