DAPD探测器相对于SAPD的优势，NIR 5x5 Array探测器的优势，DAPD 5×5-1550-100-300

美国Amplification离散放大光子探测器（DAPD：Discrete Amplification Photon Detector）5×5阵列探测器DAPD 5×5-1550-100-300，是一种近红外光谱范围高速光电探测器，因此又被称作DAPD NIR 5x5 Array探测器。这款阵列式光电探测器专为检测极低水平光信号而设计，响应范围为950nm至1650nm。该5×5阵列探测器由25个探测器组成，以5x5阵列配置排列，中心到中心间距为100μm，总检测面积为0.5mmx0.5mm。每个探测器都使用密封定制封装单独连接到专用外部引线。

DAPD NIR 5x5 Array探测器利用了由 Amplification Technologies 开发并获得专利的突破性离散放大方法，使用多通道放大和单片集成负反馈雪崩机制来放大低水平电信号。DAPD探测器内部放大的离散放大技术（DA）提供了非常高的增益（约100,000），同时还具有非常低的过量噪声系数（低于1.05）和快速响应（上升时间快于0.6ns）。这些特性使DAPD 能够检测单个光子，并针对极低光照水平的检测进行了优化。DAPD NIR 5x5 Array探测器采用KOVAR制成的密封封装，其中包括一个低功率两级热电冷却器(TEC)和一个热敏电阻。该封装允许5×5阵列探测器在很宽的环境温度范围内运行，同时将探测器阵列保持在-50°C的稳定温度，前提是在封装底部应用适当的散热。

DAPD 5x5-1550-100-300的参数介绍：

-1550：波长1550nm

-100：阵列间距（中心到中心距离，单位为μm）

-300：引线长度为 0.300”（75mm）

DAPD和SAPD的区别，DAPD相对于SAPD的优势：

SAPD（全称：Single Photon Avalanche Diode）是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管。

-Amplification光子探测器DAPD没有死区时间，SPAD的死区时间为1μs，大多数情况下为2μs。

-Amplification离散放大光子探测器DAPD可检测单个光子，也可检测多光子，具有良好的光子级分辨率。SPAD可以检测光子，但无法区分一个或多个，在SPAD中得到的是“是/否”信号。

-DAPD5×5阵列探测器如果在多光子环境中工作（例如，检测平均每脉冲10到20个光子的信号，而不仅仅是一个光子），暗事件的平均幅度较低。这样，通过将决策水平的阈值设置为高于平均暗噪声水平，用户可以忽略大多数暗事件并获得出色的信噪比，而SPAD无法达到这一点。

-能够在不损坏DAPD的情况下维持高光功率，并且从这种情况中恢复非常快。这是由于Amplification光子探测器DAPD的多微单元设计，有助于限制流过传感器的电流，并在微单元之间均匀消散任何电荷。与SAPD相比，DAPD的可靠性更好，尤其是在高辐射下。这再次是因为Amplification光子探测器多微单元设计有助于消散电荷，并且还限制了可以流过每个微单元的电流。

Amplification Technologies DAPD NIR 5x5 Array探测器的规格：         

注：规格是在封装环境温度为-45°C时得出的；所有数值均为典型值。

（1）光子检测效率包括后脉冲。

（2）最佳灵敏度的工作偏置Vop由Amplification Technologies测试后提供。