作者：叶gx 时间：2024-11-21
日本OXIDE 的Mg:SLN晶体，即掺镁铌酸锂晶体，是指掺杂1.3mol% Mg的化学计量比 LiNbO3太赫兹晶体（THz晶体）。Mg:SLN晶体是日本OXIDE用于 GaN 外延生长的新型衬底晶体，是用于产生太赫兹（THz）的关键器件。
日本OXIDE Mg:SLN晶体优势
- 容易产生太赫兹
- 宽THz带宽（0.2~2.5 THz）
- 低缺陷密度
- 高损伤阈值
太赫兹晶体（THz晶体）产品
掺镁铌酸锂晶体标准品1（基本型）
掺镁铌酸锂晶体Size：9 x 9 x 9 mm
▲光学抛光
▲镀增透膜（适用于 Ti:Sapphiraser 和 1um fs 光纤激光器）@ 780 -820nm 和 @1025nm ~ 1065nm
太赫兹晶体（THz晶体）详细尺寸和规格
标准品2（高功率型）
在高平均输入功率下，由于剩余功率转储在棱镜外部，因此性能更好。
可选择镀膜或不镀膜
Size：10x 10 x 12.5 mm
▲光学抛光
▲镀增透膜（适用于 Ti:Sapphiraser 和 1um fs 光纤激光器）@ 780 -820nm 和 @1025nm ~ 1065nm
详细尺寸和规格
标准品3（高功率且大孔径型）
Size：20x 20 x 20mm
▲光学抛光
▲镀增透膜（适用于 Ti:Sapphiraser 和 1um fs 光纤激光器）@ 780 -820nm 和 @1025nm ~ 1065nm
详细尺寸和规格
标准品4（高功率且超大孔径型）
Size：30x 30 x 30mm
▲光学抛光
▲镀增透膜（适用于 Ti:Sapphiraser 和 1um fs 光纤激光器）@ 780 -820nm 和 @1025nm ~
1065nm
