QP1-6 TO和QP50-6 TO四象限插针光电二极管特点、应用和具体参数

作者：郭sy 时间：2025-02-19

QP50-6 TO 四象限插针光电二极管和QP1-6 TO四象限插针光电二极管包装尺寸都是用少量泡沫垫，盒装(12厘米x16.5厘米)。处理注意事项如下。四象限光电二极管焊接温度最高为260℃，持续10秒。设备必须保护免受焊剂蒸气的影响。四象限光电二极管最小引脚长度为2mm。对于ESD保护，标准的预防措施就足够了。

QP50-6 TO和QP1-6 TO四象限插针光电二极管应用：

-激光束位置传感器

-椭圆计

QP50-6 TO四象限插针光电二极管特点

-四象限插针光电二极管

-高灵敏度

-低暗电流

QP50-6 TO四象限插针光电二极管参数

QP50-6 TO四象限插针光电二极管具有低暗电流和象限PIN4x12平方毫米有源光电二极管区域。金属可封闭式TO8S带有透明玻璃窗的包装。

四象限光电二极管绝对最大额定值如下表

符号	参数	最小值	最大值	单位
TSTG	存储温度	-55	125	°C
TOP	工作温度	-40	100	°C
Mmax	最大反向电压		20	V
IPEAK	峰值直流电流		10	mA

原理图

23°时的光谱响应

QP50-6 TO四象限插针光电二极管23度时的光电特性如下表。

符号	特征	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
	元素数量		4象限
	有效区域		直径7980			μm
	有效区域	每个元素	12			mm2
	间隙	元素之间	42			μm
ID	暗电流	VR=10V，每个元素		2.0	5.0	nA
C	电容	VR=0V，每个元素		120		pF
C	电容	VR=10V，每个元素		20		pF
	响应率	λ=632nm		0.4		A/W
	响应率	λ=900nm		0.64		A/W
tR	上升时间	VR=0V; λ=850nm; RL= 50Ω		2000		ns
tR	上升时间	VR=10V;λ=850nm;RL= 50 Ω		40		ns
	分流电阻	VR=5mV，每个元素		50		MΩ
	N.E.P.	VR=5V，λ=900nm，每个元素		4E-14		W/√Hz
VBR	击穿电压	IR=2µA	20		50	V

23°C时量子效率

反向偏压的电容(23°，每个元件)

暗电流作为偏置力（23°C，每个元件）

QP1-6 TO四象限插针光电二极管特点

-1平方毫米象限PIN探测器

-高灵敏度

-间隙小

-低暗电流

QP1-6 TO四象限插针光电二极管参数

低暗电流圆形有源区象限PIN光电二极管，具有4x0.25平方毫米的有源区。QP1-6 TO四象限插针光电二极管是金属可封装TO52封装，带有透明玻璃窗。

QP1-6 TO四象限插针光电二极管绝对最大额定值如下表

符号	参数	最小值	最大值	单位
TSTG	存储温度	-55	125	°C
TOP	工作温度	-40	100	°C
Mmax	最大反向电压		50	V
IPEAK	峰值直流电流		10	mA

原理图

QP1-6 TO四象限插针光电二极管23°时的光谱响应

23度时的光电特性如下表。

符号	特征	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
	元素数量		4象限
	有效区域		直径1130			μm
	有效区域	每个元素	0.25			mm2
	间隙	元素之间	16			μm
ID	暗电流	VR=10V，每个元素		0.1	0.5	nA
C	电容	VR=0V，每个元素		5		pF
C	电容	VR=10V，每个元素		0.75		pF
	响应率	λ=632nm		0.4		A/W
	响应率	λ=900nm		0.64		A/W
tR	上升时间	VR=0V; λ=850nm; RL= 50Ω		2000		ns
		VR=10V;λ=850nm;RL= 50 Ω		20		ns
		VR=80V;λ=850nm;RL= 50 Ω		10		ns
	分流电阻	VR=5mV，每个元素	500	1000		MΩ
	N.E.P.	VR=5V，λ=900nm，每个元素		9E-15		W/√Hz
VBR	击穿电压	IR=2µA	50	100		V

23°量子效率

反向偏压的电容(23°，每个元件)

四象限光电二极管暗电流作为偏置力（23°C，每个元件）

上一篇：GD Optics通过精密玻璃模压制作5°、15°、30°、45°、60°柱透镜标准品和非球面柱面透镜

下一篇：Thorlabs与B.halle超消色差波片在310-1100nm和600-2700nm的参数详细对比

QP1-6 TO和QP50-6 TO四象限插针光电二极管特点、应用和具体参数

推荐阅读