EOT铟镓砷光电探测器又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。组件包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。带宽>10GHz，占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz，可选外墙插入式电源、可选光纤耦合或自由空间选项。
所属品牌： 美国EOT(已暂停代理）
应用类型：
产品型号：ET系列
已经不代理Eot旗下产品，请联系其他代理商
短波近红外铟镓砷光电探测器包含PIN光电二极管，利用光伏效应将光功率转换为电流。EOT铟镓砷光电探测器又叫做EOT铟镓砷探测器、EOT近红外光电探测器、短波红外铟镓砷光电探测器、短波近红外铟镓砷光电探测器、铟镓砷PIN光电二极管探测器、EOT光电探测器、铟镓砷光电二极管探测器等等。
典型包含可见光、近红外的EOT铟镓砷光电探测器的响应度如下：
ET-3500、ET-4000适合短波可见光区域， 3500F、ET-3600、ET-4000F适用于近红外I区的应用，ET-5000、ET-5000F适用于近红外II区。型号确定的含义：
2代表Silicon，3代表 InGaAs，4代表GaAs，5代表Extended InGaAs，ET是厂家EOT的缩写。
短波近红外铟镓砷光电探测器，三元系材料InxGa1-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶体的直接带隙半导体，其能带成分因组分的比例不同具有差异，应用广泛。
EOT近红外光电探测器端接到示波器的50Ω电阻时，可以测量激光的脉冲宽度。当铟镓砷PIN光电二极管探测器端接到频谱分析仪的50Ω电阻时，可以测量激光的频率响应。
EOT近红外光电探测器中，>10GHz光电探测器自带由长寿命锂电池组成的内部偏置电源。将同轴电缆插入光电检测器的BNC输出连接器，可以在示波器或频谱分析仪处端接50Ω就可以了。
短波近红外铟镓砷光电探测器的上升/下降时间300ps（典型），影响度0.47A/W@830nm，电源要求直流，带宽>2GHz，输出连接器BNC。特点是占地面积小、内部电压偏置、直流至22GHz、可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项。
探测原理是什么呢？
探测器在完成光电转化过程中，不仅给出表征被测对象的电压、电流信号，同时也伴随着无用噪声的电压、电流信号，这是一种起伏信号，其大小决定了探测器的探测能力。
EOT近红外光电探测器的主要指标如下：
1）光电流是存在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流则为无光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流包括以下几种：尽区中边界的少子扩散电流、流子的产生-复合电流、表面泄漏电流。EOT近红外光电探测器的暗电流<0.1nA。
2）探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：暗电流噪声、散粒噪声、热噪声。EOT近红外光电探测器的噪声<0.01pW/Hz。
EOT铟镓砷光电探测器规格：
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名称 |
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型号 |
120-10058-0001 (ET-3500) |
120-10068-0001 (ET-3500F) |
120-10140-0001 (ET-3600) |
120-10142-0001 (ET-3600F) |
120-10071-0001 (ET-4000) |
120-10081-0001 (ET-4000F) |
120-10105-0001 (ET-5000) |
120-10104-0001 (ET-5000F) |
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探测器材料 |
InGaAs |
GaAs |
GaAs |
InGaAs |
InGaAs |
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上升/下降时间 |
<25ps/<25ps |
16ps/16ps |
<30ps/<30ps |
28ps/28ps |
28ps/28ps |
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响应度 |
>0.90A/W @1300nm |
>0.65A/W @1300nm |
>0.70A/W @1300nm |
>0.70A/W @1300nm |
>0.53A/W @830nm |
>0.38A/W @830nm |
1.3A/W @2000nm |
0.95A/W @2000nm |
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电源要求 |
6VDC |
6VDC |
3VDC |
3VDC |
3VDC |
3VDC |
3V |
3V |
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带宽 |
>15GHz |
>15GHz |
>22GHz |
>22GHz |
>12.5GHz |
>12.5GHz |
>10GHz |
>10GHz |
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有效面积直径 |
32µm |
32µm |
20µm |
20µm |
60µm |
60µm |
40µm |
40µm |
|
暗电流 |
<3nA |
<3nA |
<1nA |
<1nA |
<0.5nA |
<0.5nA |
<1µA |
<1µA |
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接受角（1/2角） |
15° |
N/A |
15° |
N/A |
15° |
N/A |
20° |
N/A |
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噪声等效功率 |
20pW/Hz @1300nm |
28pW/Hz @300nm |
26pW/Hz @1300nm |
35pW/Hz @830nm |
45pW/Hz @830nm |
15pW/Hz @2000nm |
20pW/Hz @2000nm |
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最大线性额定值 |
10mW |
10mW |
10mW |
10mW |
10mW |
10mW |
3mA |
3mA |
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安装（螺纹孔） |
8-32 or M4 |
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输出连接器 |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
SMA |
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光纤连接 |
N/A |
FC/UPC,SMF28e |
N/A |
FC/UPC,SMF28e |
N/A |
FC/UPC,SMF28e |
N/A |
FC/UPC |
EOT铟镓砷探测器特点：
-占地面积小
-内部电压偏置
-带宽>10GHz
-直流至22GHz
-可选外墙插入式电源、光纤耦合或自由空间选项
EOT近红外光电探测器应用：
-监控调Q激光器的输出
-监控锁模激光器的输出
-监测外部调制连续激光器的输出
-高频、外差应用
-时域和频率响应测量
连续型螺旋相位片，连续面形涡旋相位板
Optiphase光纤拉伸器
