美国Infrared Associates可提供锑化铟/碲镉汞探测器， Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器中的光伏锑化铟探测器是利用单晶材料通过介子技术形成p-n结，在1-5.5μm波长区域表现出卓越的电光性能；另外的光电导碲镉汞探测器可通过调整三元化合物的合金成分来改变波长响应。InSb/HgCdTe探测器可用于热成像和辐射测量等应用，Infrared探测器中还有一款用于商业和军事应用的锑化铟/碲镉汞双色红外探测器，是理想的选择。
所属品牌： 美国InfraRed
应用类型：
产品型号：IS-0.25，IS-0.5，IS-1.0，IS-2.0
负责人：韦工
联系电话：18927460030
电子邮箱：bqwei@welloptics.cn
波长范围1μm-5.5μm，InSb/HgCdTe，锑化铟/碲镉汞探测器
美国InfraRed Associates公司为热成像、科研以及光谱学等应用提供锑化铟/碲镉汞探测器和锑化铟/碲镉汞双色红外探测(InSb/HgCdTe 2-color)，这些Infrared探测器各有各的优势和特点，以下简单介绍这几款Infrared锑化铟/碲镉汞MCT探测器。
图1：InSb/HgCdTe探测器图示
光伏锑化铟探测器(InSb Detectors)：
InfraRed Associates提供的光伏锑化铟探测器是利用单晶材料通过介子技术形成p-n结，这种工艺可生产出较高质量的光电二极管，并且在1μm至5.5μm波长区域表现出卓越的电光性能。这些二极管是背景限制(BLIP)的探测器，其性能可通过空间（冷却FOV stops）或光谱（冷却干扰滤波器）减少背景来提高。
图2：D*值曲线图
光电效应是指当适当波长的辐射入射到p-n结时，p-n结上会产生电势。当光子通量照射到交界时，如果光子能量超过禁带间隙能量，就会形成电子-空穴对。
磁场将电子从p区扫向n区，将空穴从n区扫向p区。这一过程使p区为正，n区为负，并在外部电路中产生电流。InSb探测器的等效电路如下所示。该电路由信号和噪声电流发生器与电阻和电容项并联组成。
图3：InSb探测器的等效电路图
当背景辐射通过在有源元件中产生恒定输出而改变工作曲线时，探测器应反向偏置，使其回到最佳工作点：零电压。
这可以通过使用匹配的前置放大器来实现，例如IAP-1000IS。探测器前置放大器系统在探测器噪声受限模式下工作，需要双路输出电源。
光伏锑化铟探测器的应用：
- 医疗热成像
- 热成像
- 光谱学
- 辐射测量
- 科研
- 红外显微镜
光伏锑化铟探测器的规格参数：
标准光伏锑化铟探测器规格表
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型号 |
FOV=60O, (λpk,1000,1) |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
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有效面积(mm) |
D*(cmHz1/2W-1) |
响应度 (λp) |
电阻 (Rd) (Ω) |
电容 (Cd) (pF) |
短路电流 Isc (µA) |
开路电压 Vcc (mV) |
工作温度(K) |
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IS-0.25 |
q.25/.25x.25 |
≥1.0E11 |
≥3A/W |
1000K |
70 |
0.9 |
80 to 125 |
77 |
MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12 |
Sapphire |
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IS-0.5 |
q.5/.5x.5 |
500K |
100 |
2 |
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IS-1.0 |
q1/1x1 |
300K |
350 |
8 |
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IS-2.0 |
q2/2x2 |
100K |
1500 |
30 |
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MSL-8 侧视金属Side Looking Metal Dewar--8 小时保温时间，MSL-12 侧视金属露--12 小时保温时间 MDL-8 下视金属Down Looking Metal Dewar--8 小时保温时间，MDL-12 下视金属露--12 小时保温时间 |
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可根据客户的规格要求定制配置和阵列。此外，还可提供定制的金属和玻璃露台，以配合各种冷却技术，详情请联系我们。
碲镉汞(MCT)探测器(Mercury Cadmium Telluride (HgCdTe))：
InfraRed Associate提供完整系列的光电导碲镉汞 (HgCdTe) LN2 和 TE 冷却探测器。通过调整这种三元化合物的合金成分，可以改变波长响应。
操作这些光电导碲镉汞探测器时需要偏置电压，并确定最佳值以实现最高信噪比。InfraRed Associates的探测器在性能上通常受到背景噪声的限制。
标准LN2冷却和TE冷却（LN2 cooled and TE cooled）MCT探测器的响应如下图所示，图中给出的是FOV60度下的D*值和响应度。数值因元件尺寸和封装而异，请参阅规格表，了解与探测器要求相对应的数据。
图4：标准LN2冷却和TE冷却（LN2 cooled and TE cooled）MCT探测器的响应图
光电导碲镉汞探测器的应用：
- 医学热成像
- 热成像
- 傅立叶变换红外光谱仪
- 分析仪器
- 科研
- 污染监测
锑化铟/碲镉汞双色红外探测器(InSb/HgCdTe 2-color)：
InfraRed Associates为商业和军事应用提供InSb/HgCdTe 双色红外探测器。这些探测器可对红外光谱中不同但相邻的区域做出响应，一个元件响应短波长辐射，另一个元件响应长波长辐射。
其中，独特的结构允许两个元件位于同一焦点。 InSb/HgCdTe 双色探测器的InSb元件对1µm至5.5µm的辐射做出响应，HgCdTe元件对5.5µm至12.5µm的辐射做出响应。碲化镉汞元件可进行定制，以将其长波长响应范围扩展到25mm以上。可根据客户的规格要求进行定制配置，了解详情，请联系我们。
图5：响应度曲线图
锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的应用：
- 辐射测量
- 热成像
- 背景识别Background Discrimination
- 傅立叶变换红外光谱
- 红外显微镜
锑化铟/碲镉汞双色红外探测器的规格参数：
标准InSb/HgCdTe双色红外探测器规格表
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型号 |
FOV=60O, InSb (λpk,1000,1), HgCdTe (λpk,10000,1) |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
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|
有效面积(mm) |
波长响应 (20% λco) (µm) |
D* (cmHz1/2W-1) |
反应率 |
工作温度 (K) |
|||
|
2C-.25 InSb HgCdTe |
q0.25/0.25x0.25 0.25x0.25 |
1- 5.5 5.5-12.5 |
≥1.0E11 ≥3.0E10 |
≥3 A/W ≥5000V/W |
77 |
MSL-8 MSL-12 or MDL-8 MDL-12 |
ZnSe (2-14mm) |
|
2C-.5 InSb HgCdTe |
q0.5/0.5x0.5 0.5x0.5 |
≥1.0E11 ≥3.0E10 |
≥3 A/W ≥3000V/W |
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2C- 1 InSb HgCdTe |
q1/ 1.0x1.0 1.0x1.0 |
≥1.0E11 ≥3.0E10 |
≥3 A/W ≥2000V/W |
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|
2C- 2 InSb HgCdTe |
q2/ 2.0x2.0 2.0x2.0 |
≥1.0E11 ≥2.0E10 |
≥3 A/W ≥1000V/W |
||||
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MSL-8侧视金属Side Looking Metal Dewar--8小时保温时间，MSL-12侧视金属--12小时保温时间 MDL-8下视金属Down Looking Metal Dewar--8小时保温时间，MDL-12下视金属--12小时保温时间 |
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