Roithner 1900nm LED是一款基于 InGaAsP 的表面贴装红外高功率LED，典型峰值波长为1900nm，其光输出功率为27mW@1A或者30mW@1A。1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片（InGaAs chip）。
所属品牌： 奥地利Roithner Lasertechnik
应用类型：
产品型号：SMB1N-1900D，SMB1N-1900D-02
负责人：包程鑫
联系电话：13417596712
电子邮箱：cxbao@welloptics.cn
1900nm波长，30mW高功率，PA9T SMD封装的Roithner发光二极管
2023年末，奥地利Roithner公司正式推出了1900nm的红外高功率LED，型号SMB1N-1900D和SMB1N-1900D-02。Roithner 高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。
SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率红外高功率LED，典型峰值波长为1900nm，光输出功率为27mW@1A。Roithner 高功率发光二极管采用聚酰胺树脂 SMD 封装 (PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-1900D-02的光输出功率为30mW@1A。1900nm高功率LED
SMB1N-1900D-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模制透镜，还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。
Roithner LED SMB1N-1900D与SMB1N-1900D-02的最大区别是SMB1N-1900D-02含有透镜，从而导致其光束角为±9°，而SMB1N-1900D的光束角为±64°。
Roithner 1900nm LED的主要特点：
-红外高功率LED
-特定波长1900nm，光输出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）
-砷化镓芯片（InGaAs chip），1x1mm
- PA9T SMD 封装
-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）
1900nmLED发光二极管的最大额定值*：
|
参数 |
符号 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
|
功率耗散 |
PD |
|
1600 |
mW |
|
正向电流 |
IF |
|
1000 |
mA |
|
脉冲正向电流** |
IFP |
|
2000 |
mA |
|
反向电压 |
UF |
|
2 |
V |
|
热阻 |
RTHJA |
|
10 |
K/W |
|
结温 |
TJ |
|
120 |
°C |
|
工作温度 |
TCASE |
-40 |
+85 |
°C |
|
存储温度 |
TSTG |
-40 |
+100 |
°C |
|
引线焊接温度 (tmax.5s) |
TSLD |
|
+250 |
°C |
*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备
**占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nm高功率LED电子光学特性（TCASE = 25°C）：
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
峰值波长 |
λP |
IF=1 A |
1850 |
|
1950 |
nm |
|
半宽 |
λΔ |
IF=1 A |
|
120 |
|
nm |
|
正向电压 |
VF |
IF=1 A |
|
1.2 |
1.6 |
V |
|
VFP |
IFP=2 A* |
|
1.6 |
|
||
|
总辐射功率 |
PO |
IF=1 A |
18 |
27 |
|
mW |
|
IF=2 A* |
|
47 |
|
|||
|
辐射强度 |
IE |
IF=1 A |
|
/ |
|
mW/sr |
|
IF=2 A* |
|
/ |
|
|||
|
视角 |
2θ1/2 |
IF=100 Ma |
|
128 |
|
deg. |
|
上升时间 |
tr |
IF=1 A |
|
90 |
|
ns |
|
下降时间 |
tf |
IF=1 A |
|
30 |
|
ns |
*占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nmLED发光二极管的外形尺寸：
1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02
1900nm发光二极管SMB1N-1900D
红外高功率Roithner LED典型性能曲线：
