AgGaSe2晶体，AgGaS2晶体和CdSe晶体都属于非线性晶体。硒酸银(AgGaSe2, AGSE)是一种有效的红外辐射倍频晶体，其透射光谱为0.73μm-18μm，在1800 nm中心附近无残余电子射线吸收。硫镓银晶体(AgGaS2, AGS) 具有较高的非线性系数、较高的损伤阈值和较宽的透射范围，它还具有较低的光吸收和散射，较低的波前畸变。硒化镉(CdSe)晶体具有高达24μm的红外传输特性，具有相当大的非线性(d31 = 18 pm/V)和较小的离场角。
所属品牌： 立陶宛Optogama
应用类型：
产品型号：AgGaSe 2晶体、AgGaS 2晶体、CdSe晶体
负责人：李工
联系电话：13691926712
电子邮箱：zxli@welloptics.cn
非线性光学晶体，AgGaSe2晶体、AgGaS2晶体、CdSe晶体
非线性晶体指有非线性光学效应的晶体，广义指在强光或外场作用下能产生非线性光学效应的晶体。通常将强光作用下产生的称为非线性光学晶体。立陶宛Optogama公司为基础研究、应用研究和工业应用提供不同的非线性晶体。晶体生产技术有：Stepanov，Kyropoulos，CZ，温度梯度法，通量法。AgGaSe 2晶体、AgGaS 2晶体、CdSe晶体是三种相对不太常用的非线性光学晶体，但也有各自特殊的效果。
硒镓银(AgGaSe2, AGSE)是一种有效的红外辐射倍频晶体，其透射光谱为0.73μm-18μm，在1800 nm中心附近无残余电子射线吸收。AGSE的有效传输范围在0.916μm以内，且相位匹配范围宽，在各种激光泵浦下具有很好的应用潜力。在2.05μm处，用Ho：YLF激光泵浦AGSE可获得2.512μm范围内的调谐。
硫镓银晶体(AgGaS2, AGS)在红外光谱范围内，AGS已被证明是一种有效的非线性参量相互作用晶体。其透明区为0.53~12μm，基于AGS的光学参量振荡器在红外光谱范围内具有连续可调谐的宽波长辐射特性。在Nd：YAG激光器泵浦的光学参量振荡器中，采用了从550 nm开始的高短波长透明性。采用250nm泵浦激光器，可调谐2.5~12.0μm左右的AGS光参量振荡器，输出范围可通过和频混频或差频混频(sfm/dfm)来扩展。该晶体具有较高的非线性系数、较高的损伤阈值和较宽的透射范围.它还具有较低的光吸收和散射，较低的波前畸变。AGS具有近红外和深红外非线性相互作用的最高优点.AGS在0.53~12μm范围内是透明的。
硒化镉(CdSe)晶体具有高达24μm的红外传输特性，具有相当大的非线性(d31 = 18 pm/V)和较小的离场角。CdSe晶体可应用于差频产生(DFG)，光学参量振荡(OPO)方案，提供超过12μm的吸收边以上的红外激光辐射。例如，CdSe OPO有可能被2μm的Tm掺杂、Ho掺杂、Tm和Ho共掺激光器泵浦，并产生长红外空转辐射。除非线性光学应用外，硒化镉晶体材料还可用于红外光学元件：基片、偏振片、波片等。
AgGaSe2晶体主要特点：
-优良的传输范围从0.73到18μm
-低光吸收和低散射
-高FOM（品质因数），用于NIR和MIR中的非线性相互作用
AgGaSe2晶体主要应用：
- 4.0~18.3μm红外区的频率混合
-CO2激光器的二次谐波产生与上转换
-效率达到10%的固体激光器的可调谐OPO
AgGaSe2晶体技术特性：
|
化学公式 |
AgGaSe2 |
|
晶体结构 |
四边形，42m |
|
晶格参数 |
A=5.9920，c=10.8803 |
|
光学对称性 |
负单轴(NO>Ne，λ<804 nm Ne>NO) |
|
密度 |
5.7克/厘米3 |
|
Mohs硬度 |
3-3.5 |
|
透明度范围@“0”透过率水平 |
0.71-19μm |
|
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) |
no2=6.8507+0.4297/(λ)2-0.1584)-0.00125λ2; ne2=6.6792+0.4598/(λ)2-0.2122)-0.00126λ2 |
|
折射率@10.5μm |
no=2.5917，ne = 2.5585 |
|
导热系数@T=293 K |
1 (||c) Wm-1K-1, 1,1 (⊥c) Wm-1K-1 |
|
激光损伤阈值 |
>10兆瓦/cm2@10.6μm，150 ns |
硫镓银晶体主要特点：
-传输范围为0.5到12μm的唯一非线性特性
-低光吸收和低散射
-短波长透光。
AgGaS2晶体主要应用：
-4.0~18.3μm中红外区的频率混合
-CO的二次谐波产生与上转换2雷射
-固体激光器的可调谐OPO
AgGaS2晶体技术特性：
|
化学公式 |
AgGaS2 |
|
晶体结构 |
四边形，42m |
|
晶格参数 |
A=5.742，c=10.26 |
|
光学对称性 |
负单轴(N)o>ne，λ<0，497μmne>no) |
|
密度 |
4.58克/厘米3 |
|
Mohs硬度 |
3-3.5 |
|
透明度范围@“0”透过率水平 |
0.47-13μm |
|
Sellmeier方程@0，54-12，9μm(λinμm) |
no2=5.79419+0.23114/(λ)2 – 0.06882) – 2.4534×10-3 λ2 + 3.1814×10-7 λ4 – 9.7051×10-9 λ6; ne2=5.54120+0.22041/(λ)2 – 0.09824) – 2.5240×10-3 λ2 + 3.6214×10-7 λ4 – 8.3605×10-9 λ6 |
|
折射率@10.6321μm |
no=2.3471，ne = 2.2914 |
|
导热系数@T=293 K |
1.4(\x{e76f}c)-1K-1，1.5(⊥c)Wm-1K-1 |
AgGaS2晶体产品规格：
|
透光孔径 |
85% |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.2 mm at 45° |
|
表面质量 |
20-10 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
BBar/BBar@12.2-2.4μm/2.4-11μm |
|
激光损伤阈值 |
>350兆瓦/厘米2@1064 nm，10 ns |
AgGaS2晶体产品型号：
|
SKU |
面尺寸 |
长度 |
塞塔 |
PHI |
应用 |
涂层 |
|
7356 |
5x5毫米 |
1毫米 |
39° |
45° |
DFG@1，2-2，4μm，I型 |
BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
|
7395 |
8x8毫米 |
1毫米 |
39° |
45° |
DFG@1，2-2，4μm，I型 |
BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
|
7396 |
6x6毫米 |
2毫米 |
50° |
0° |
DFG@1，2-2，4μm，I型 |
BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
|
7397 |
8x8毫米 |
2毫米 |
50° |
0° |
DFG@1，2-2，4μm，I型 |
BBar/BBar@1.2-2.4/2.4-11μm，AOI=0° |
CdSe晶体的主要特点：
-宽透光度范围(0.7-24μm)
-很大的非线性(d31 = 18 pm/V)
-小离场角
硒化镉晶体的主要应用：
- DFG，OPO方案产生的长红外波长红外辐射
-红外光学元件的材料：基板，偏振片，波片等。
硒化镉晶体的技术特性：
|
化学公式 |
CdSe |
|
晶体结构 |
六角，6毫米 |
|
晶格参数 |
A=4.2985，c=7.0150 |
|
光学对称性 |
正单轴(N)e>no) |
|
密度@288 K |
5.81克/厘米3 |
|
Mohs硬度 |
3.25 |
|
透明度范围@“0”透过率水平 |
0.7-24μm |
|
Sellmeier方程@T=293 K(λinμm) |
no2=4.2243+1.7680λ2/(λ)2-0.2270)+3.1200λ2/ (λ)2 - 3380); |
|
折射率@10，0μm |
no=2.431，ne = 2.452 |
|
导热系数@T=293 K |
6.9(\x{e76f}c)-1K-1.6，2(⊥c)Wm-1K-1 |
|
激光损伤阈值 |
60兆瓦/厘米2@10.6μm，200 ns |
