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Tm,Ho:KYW晶体、Cr:LiSAF晶体

Tm,Ho:KYW晶体、Cr:LiSAF晶体

激光晶体是激光内部光学增益的来源。与Tm3 +离子相比,Ho3 +离子通常具有更高的发射截面和更长的较高激光能级寿命。这些特征对于低阈值和有效的激光操作特别理想,因此Optogama专门推出了Tm,Ho:KYW晶体。Cr3 +:LiSAF增益介质在近红外线中具有较宽的发射带,可通过锁模技术广泛地调节激光操作并产生约10 fs的光脉冲。

所属品牌:

应用类型:

产品型号:Tm,Ho:KYW晶体、Cr:LiSAF晶体

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激光晶体,Tm,Ho:KYW晶体、CrLiSAF晶体

 

激光晶体-有源激光介质是激光内部光学增益的来源。激光晶体或激光玻璃通常掺杂稀土离子(例如钕、镱或铒)或过渡金属离子(钛或铬)。为了激发激光,有源增益介质必须处于非热能分布中,即粒子数反转。Optogama开发了不同的激光晶体主机和离子掺杂剂组合,用于基础研究和工业应用。Tm,HoKYW晶体、CrLiSAF晶体是其中两款比较有特色的激光晶体

Tm3 +离子相比,Ho3 +离子通常具有更高的发射截面和更长的较高激光能级寿命。这些特征对于低阈值和有效的激光操作特别理想。但是,人们认识到,由于Ho3 +不具有与市售激光二极管的输出完全匹配的强吸收线,因此通常选择Ho3 +Tm3 +离子共掺杂以实现在2μm光谱范围内有效工作。Tm-Ho系统中的能量传递路径。 TmHoKYW晶体的特征是大而宽的极化吸收和发射带,有效的能量传递Tm3 +Ho3 +

Cr3 +:LiSAF增益介质在近红外线中具有较宽的发射带,可通过锁模技术广泛地调节激光操作并产生约10 fs的光脉冲。CrLiSAF晶体可以以非常低的损耗水平(0.2/ cm)生长,并且能够构建高Q腔,从而导致激光阈值低至2 mW,斜率效率高于50%。此外,CrLiSAF的非线性折射率比Ti:蓝宝石低约四倍,这减少了超短脉冲产生和放大中不想要的非线性。

 

TmHoKYW晶体主要特点:

-大而宽的偏振吸收和发射带

-有效能量传递TM3+Ho3+

-高掺杂浓度低浓度淬火

-可根据要求提供定制水晶

 

TmHoKYW晶体主要应用:

       - m型遥感激光器(激光雷达技术)、计量和医疗应用

-中红外光学参量振荡器的泵浦源。

 

TmHoKYW晶体技术特性:

吸收峰波长

802 nm

峰值吸收截面

7.6×10-20厘米2

峰值吸收带宽

~4nm

激光波长

2060 nm

57能级时间

1.8毫秒

发射截面@2056 nm

4.7×10-20厘米2

折射率@1040 nm

ng=2.05nm=2.01np=1.97

晶体结构

单斜

密度

6.5/cm3

Mohs硬度

4-5

热导率

~3.3Wm-1K-1

DN/DT

DNm/dt=-9.2×10-6 K-1

热膨胀系数

αp=1.83×10-6 K-1αm=10.29×10-6 K-1
αg=15.94×10-6 K-1

典型掺杂水平

5%[TM],0.5%[HO]

Tm,HoKYW晶体的吸收和发射曲线

Tm,HoKYW晶体产品规格:

定向

Ng-切割

透明孔径

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

长度公差

±0.1毫米

平行度误差

<10 arcsec

垂直度误差

<10 arcmin

保护槽

<0,1 mm at 45˚

表面质量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/10@6328 nm

涂层

R<05%@802 nm+R<015%@2000-2100

利特

>10 J/cm2@2060 nm10 ns

 

Tm,HoKYW晶体产品型号

SKU

面尺寸

长度

端面

掺杂

涂层

价格(RMB)

7855

3x3毫米

2毫米

直角切割

TM 5%Ho 0 5%

AR/Ar@802nm+2000-2100 nm

5600

7856

3x3毫米

2毫米

布鲁斯特切

TM 5%Ho 0 5%

无涂层

4400

 

CrLiSAF晶体主要特点:

-宽吸收和发射带

-非线性折射率比Ti:蓝宝石低四倍。

-可根据要求提供定制水晶

CrLiSAF晶体主要应用:

-飞秒激光与CPA激光系统

 

CrLiSAF晶体技术特性:

吸收峰波长

670 nm

峰值吸收截面

5.5×10-20cm2

峰值吸收带宽

~100 nm

激光波长

830(780-920)nm

寿命4T2能级

67 μs

发射截面

5×10-20cm2

折射率

1.41

晶体结构

三角状

密度

3.45公斤/厘米3

Mohs硬度

4

热导率

4.6(\x{e76f}a)5.1(\x{e76f}c)Wm-1K-1

DN/DT

-4,2×10-6K-1(no), -4,6×10-6 K-1(N)e)

热膨胀系数

22×10-6(\x{e76f}a)K-1, 3.6×10-6(\x{e76f}c)K-1

典型掺杂水平

0.8%-1.5%

CrLiSAF晶体的吸收和发射曲线


CrLiSAF晶体产品规格:

方向

b

透明孔径

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

长度公差

±0.1毫米

平行度误差

<10 arcsec

垂直度误差

<10 arcmin

保护槽

<0.1 mm at 45˚

表面质量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/8@6328 nm

波前畸变

<λ/4@6328 nm

涂层

Ar(R<0.5%)@450~800 nm

激光损伤阈值

>10 J/cm2@1064 nm10 ns

 

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