Opto Diode AXUV光电探测器有效面积有20-576.6mm2,可以满足客户对大检测面积的要求。AXUV光电二极管是电子检测的理想选择，Opto Diode AXUV X射线探测器因为可以探测光子、电子和X射线的能量，因此又可以称为AXUV X射线光电二极管、X射线光电探测器和X射线探测器。
所属品牌： 美国Opto Diode
应用类型：
产品型号：AXUV100G，AXUV20A，AXUV20HS1
负责人：郭工
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电子邮箱：syguo@welloptics.cn
AXUV X射线探测器，辐射探测的理想选择
AXUV
X射线探测器是辐射探测的理想选择，有效面积20-576.5mm²，有效面积有圆形、方形和矩形，引脚类型有一个阳极和一个阴极，还有两个阳极和两个阴极。
AXUV100G X射线光电二极管是电子检测的理想选择，大检测面积、防护罩板。AXUV100G X射线光电探测器的有效面积是100mm2，
在VB=±10mV测试条件下，分流电阻最小值是20欧姆，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。在VR=0V测试条件下，电容的典型值是5nF，最大值是15 nF。在VR=0V, RL=50 Ω测试条件下，上升时间是10μs。
AXUV100G光电二极管典型电子响应
AXUV100G光电探测器典型的EUV-UV-VIS-NIR光子响应度
AXUV X射线探测器特点
-电子检测理想选择
-有效面积20-576.5mm²
-方形、矩形和圆形活动区域
-防护罩板
AXUV20A X射线光电探测器有效区域是一个圆形，直径是5.5mm，整体有效区域是23mm2，在0-1100nm AXUV X射线光电二极管的灵敏度大概是0.05-0.27A/W。在Vf=±10mV测试条件下，分流电阻最小值是100欧姆，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。在VR=0V测试条件下，电容的典型值是500pF，最大值是1500 pF。在VR=0V, RL=50 Ω测试条件下，上升时间是2μs。
AXUV20HS1是高速圆形AXUV光电二极管，是EUV探测的理想选择，中间的网格线5μm，间距100μm。有效区域是20mm2，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是160V。在VR=0V测试条件下，电容的典型值是300pF，最大值是900pF。在RL=50Ω, VR=150V测试条件下，上升时间是3.5ns。在VR=150V测试条件下，暗电流是100nA。
AXUV300C有两个阳极和阴极管角，AXUV光电二极管的有效面积是331mm2。AXUV576C是圆形4引脚封装，有效面积是576.5mm2。AXUV63HS1和AXUV63HS1-CH有效面积是63mm2。
Opto Diode AXUV X射线探测器标准品型号
AXUV X射线光电二极管可对0.0124nm至190nm的光子、电子或X射线进行高性能测量，并可探测100eV至 50 keV的能量。AXUV光电二极管拥有理想的电子防射盖板，环境温度为-10°~40°，工作温度范围-20°C至80°C，铅焊温度260°C。
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型号 |
零件编号 |
描述 |
有效面积mm² |
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AXUV100G |
ODD-AXU-010 |
大型AXUV光电二极管，辐射检测的理想选择 |
100 |
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AXUV20A |
ODD-AXU-026 |
圆形Opto Diode AXUV光电探测器是辐射检测的理想选择 |
23 |
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AXUV20HS1 |
ODD-AXU-036 |
适用于辐射探测的高速圆形光电二极管 |
20 |
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AXUV20HS1 |
ODD-AXU-082 |
大型矩形Opto Diode AXUV光电探测器，非常适合辐射检测 |
331 |
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AXUV576C |
ODD-AXU-048 |
大型方形Opto Diode AXUV光电探测器，非常适合辐射检测 |
576.5 |
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AXUV63HS1 |
ODD-AXU-049 |
适用于辐射探测的高速环形AXUV光电二极管 |
63 |
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AXUV63HS1-CH |
ODD-AXU-051 |
带中心孔的高速圆形AXUV光电探测器是辐射探测的理想之选 |
63 |
准分子激光反射镜 Lambda
EOT光电探测器
MEMS变形镜
ABS CCD相机
拉曼晶体BN晶体，KGW晶体，KYW晶体
太赫兹窗片，TPX窗片
