红外探测器一直是德国Laser Components（简称LC）标准产品系列的一部分。Laser Components红外探测器APD可分为InGaAs PIN光电二极管、InAs光电二极管、PbS和PbSe检测器三大类，覆盖1μm至2.5μm的近红外范围（NIR）和2.5μm以上的中红外范围（MIR）。这些红外二极管探测器的工作模式各不相同。
所属品牌： 德国Laser Components GmbH
应用类型：
产品型号：IA35S500S4i，IG17X080S4i，PB45S60608M
负责人：包程鑫
联系电话：13417596712
电子邮箱：cxbao@welloptics.cn
最高覆盖5.2μm，峰值灵敏度1.05-1.45 A/W，标准型号多样的红外探测器
众所周知，1μm至2.5μm的近红外范围（NIR）和2.5μm以上的中红外范围（MIR）的红外探测器是有区别的，为此Laser Components推出了包含所有工作模式的InGaAs PIN光电二极管、InAs光电二极管以及PbS和PbSe检测器。以下是LC红外探测器的具体分类介绍：
InGaAs PIN光电二极管：
现代InGaAs PIN光电二极管具有全色性，可将宽带光转换为可见光和近红外波段的光电流。具体来说，这意味着普通InGaAs的灵敏度范围为500nm到1700nm，而扩展InGaAs的灵敏度范围则可递增到2600nm。值得注意的是InGaAs光电二极管的数据传输的变化不是全色的。
红外光InGaAs光电二极管的主要应用：
-光谱学（尤其是近红外傅立叶变换红外光谱）
-激光监测
-非接触式温度测量
-可调谐二极管激光光谱（TDLS）
-分光光度法，例如用于测量水分
-分拣应用
-火焰调节
红外光电二极管InGaAs探测器的主要特点：
-峰值灵敏度从1.05A/W -1.4 A/W
-高动态范围
-线性度高
-灵敏度的温度系数低至 0.01%/K
-全色性，即在可见光和近红外范围内均有灵敏度
红外二极管探测器InGaAs探测器系列根据标称截止波长的不同分为IG17、IG22和IG26，分别对应1.7μm、2.2μm和2.6μm的截止波长。该红外光InGaAs光电二极管系列的开发重点是量子效率，专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计，在宽光谱范围内具有出色的并联电阻和卓越的响应性。
|
型号 |
直径 μm |
50%截止波长 μm |
峰值波长 μm |
峰值响应 A/W |
响应@520nm A/W |
响应@1300nm A/W |
响应@1500nm A/W |
||||
|
|
|
|
Typ. |
Min. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
|
IG17X080S4i |
80 |
≥1.65±0.1 |
1.55 |
0.9 |
1.05 |
TBD |
0.1 |
0.77 |
0.91 |
0.8 |
1.0 |
|
IG17X250S4i |
250 |
||||||||||
|
IG17X500S4i |
500 |
||||||||||
|
IG17X1000S4i |
1000 |
||||||||||
|
IG17X1300S4i |
1300 |
||||||||||
|
IG17X2000G1i |
2000 |
||||||||||
|
IG17X3000G1i |
3000 |
||||||||||
|
IG22X080S4i |
80 |
≥2.15 |
1.95±0.1 |
1.15 |
1.40 |
TBD |
0.1 |
0.74 |
0.92 |
0.87 |
1.09 |
|
IG22X250S4i |
250 |
||||||||||
|
IG22X500S4i |
500 |
||||||||||
|
IG22X1000S4i |
1000 |
||||||||||
|
IG22X1300S4i |
1300 |
||||||||||
|
IG22X2000G1i |
2000 |
||||||||||
|
IG22X3000G1i |
3000 |
||||||||||
|
|
Typ. |
@1600nm |
@1900nm |
||||||||
|
IG26X250S4i |
250 |
≥2.45 |
2.25±0.1 |
1.35 |
1.50 |
0.1 |
0.7 |
1.0 |
1.08 |
1.36 |
|
|
IG26X500S4i |
500 |
||||||||||
|
IG26X1000S4i |
1000 |
||||||||||
|
IG26X1300S4i |
1300 |
||||||||||
|
IG26X2000G1i |
2000 |
||||||||||
|
IG26X3000G1i |
3000 |
||||||||||
注：参数在 T=25°C 时进行批量测试
在OV偏压下测量的响应度。
数据为窗口整合前的数据。
初步数据。
红外InAs光电二极管：
Laser Components生产的InAs光电二极管覆盖900nm至3500nm的范围。IA35系列探测器是红外光InGaAs光电二极管IG26系列扩展型 InGaAs 光电二极管的光谱补充。红外InAs光电二极管IA35系列探测器是光伏探测器，有效区域直径为500μm。
红外InAs光电二极管IA35S500S4i 是一款高质量且价格合理的组件。与传统红外探测器制造商的InAs产品相比，它同时在四倍面积上提供双倍分流电阻。
InAs光电二极管IA35系列的主要应用：
-非接触式温度测量
-激光监测
-分光光度计
IA35系列红外探测器APD的主要特点：
-峰值灵敏度：≥1.05A/W
-峰值灵敏度80%时的典型光谱范围：约90 nm至约3500nm
-分流电阻：典型值为700Ω
|
型号 |
直径 μm |
20%截止波长 μm |
峰值波长 μm |
峰值响应 A/W |
响应@900nm A/W |
响应@2800nm A/W |
响应@3200nm A/W |
||||
|
|
|
|
Typ. |
Min. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
|
IA35S500S4i |
500 |
3.5 |
2.8 |
0.95 |
1.08 |
n.a. |
0.1 |
0.95 |
1.05 |
n.a. |
0.9 |
注：按批次测试的参数，100%测试的参数。
PbS和PbSe检测器：
PbS 是标准的SWIR半导体探测器 （1-3.3μm），而PbSe用于MWIR范围（未冷却时为1-4.7μm;冷却时高达5.2μm）。Laser Components的铅盐检测器是光电导的，在照明过程中，探测器电阻会降低，晶体结构为多晶，通过化学沉积产生。
光电导探测器的电阻取决于入射光。PbSe具有特别强的内光电效应：当红外光到达硒化铅检测器时，电阻降低。红外二极管探测器可以在波长高达4.7μm的非制冷条件下使用。在室温下，红外光电二极管的检测率 D*大于1010。在低温下，它们可以达到更高的性能水平，波长偏移至5.2μm。PbSe光电探测器在高灵敏度和良好的时间常数下具有良好的性价比。
PbSe光电探测器可分为PbSe亚硒化铅红外探测器PB45系列、PbSe 硒化铅红外TE冷却探测器PB50系列和PbSe 硒化铅红外TE Ultimate冷却探测器PB55系列。
|
型号 |
元件尺寸 mm |
孔径尺寸 mm |
特点 |
20%截止波长μm |
峰值 波长μm |
峰值响应度 V/W |
时间常数 μs |
可选软件包版本 |
||
|
|
|
|
|
Typ. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
Typ. |
Max. |
|
|
PB45S10104S |
1X1 |
Dia.3 |
TO-46 |
4.7 |
4.0 |
21000 |
42000 |
4 |
10 |
TO-39 Short cap |
|
PB45S20209S |
2X2 |
Dia.6.35 |
TO-39 Short cap |
10500 |
21000 |
Medium cap |
||||
|
PB45S30309S |
3X3 |
Dia.6.35 |
7000 |
14000 |
||||||
|
PB45S50508M |
5X5 |
Dia.9.53 |
TO-8 Medium cap |
4200 |
8400 |
|
||||
|
PB45S60608M |
6X6 |
Dia.9.53 |
3500 |
7000 |
|
|||||
|
|
|
Min |
|
|
|
|
|
|
|
封装 |
|
PB50S1010T17M |
1X1 |
Dia.6.35 |
1 stage cooling (max 1.6W) |
4.8 |
4.2 |
48000 |
72000 |
8 |
20 |
TO-37 Medium cap |
|
PB50S2020T17M |
2X2 |
24000 |
36000 |
|||||||
|
PB50S3030T17M |
3X3 |
16000 |
24000 |
|||||||
|
PB50S1010T26L |
1X1 |
Dia.9.53 |
2 stage cooling (max 1.4W) |
4.9 |
4.3 |
79000 |
120000 |
10 |
25 |
TO-8 flange large cap |
|
PB50S2020T26L |
2X2 |
39500 |
60000 |
|||||||
|
PB50S3030T26L |
3X3 |
263000 |
40000 |
|||||||
|
PB55S1010T2S6L |
1X1 |
2 stage cooling (max 3W) |
5.2 |
4.6 |
120000 |
180000 |
12 |
30 |
||
|
PB55S2020T2S6L |
2X2 |
60000 |
90000 |
|||||||
|
PB55S3030T2S6L |
3X3 |
40000 |
60000 |
|||||||
|
PB55S5050T2S6L |
5X5 |
24000 |
36000 |
|||||||
|
PB55S6060T2S6L |
6X6 |
20000 |
30000 |
|||||||
红外二极管探测器PbS探测器的灵敏度比PbSe光电探测器高一个数量级以上，但是，时间常数更长。IV-VI半导体PbS是一种光电探测器，可对入射红外辐射做出反应并改变其电阻。这些探测器尤其适用于需要大面积探测器的情况，因为它们比同类InGaAs探测器便宜得多。LASER COMPONENTS标准探测器的典型芯片尺寸为2 mm x 2 mm。其他配置也可根据要求提供。
红外光电二极管PbS探测器也分为三类：铅硫化铝红外探测器PB系列、PbS硫化铝红外TE冷却探测器PB27系列和PbS硫化铝红外 TE终极冷却探测器PB30系列。
|
型号 |
元件尺寸 mm |
孔径尺寸 mm |
特点 |
峰值响应度 V/W ac |
噪音密度 rms |
||
|
|
|
|
|
Min. |
Typ. |
90Hz Typ. |
650Hz Typ. |
|
PB25S10104S |
1X1 |
Dia.3 |
TO-46, short cap |
560000 |
800000 |
4.2 |
1.4 |
|
PB25G10104 |
1X1 |
Dia.3.81 |
TO-46, glass cap |
||||
|
PB25S10109S |
1X1 |
Dia.6.35 |
TO-39, short cap |
||||
|
PB25G10109 |
1x1 |
Dia.6.6 |
TO-39, glass cap |
||||
|
PB25G10254 |
1x2.5 |
Dia.3.81 |
TO-46, glass cap |
220000 |
330000 |
TBD |
TBD |
|
PB25G10259 |
1x2.5 |
Dia.6.6 |
TO-39, glass cap |
||||
|
PB25S20209S |
2x2 |
Dia.6.35 |
TO-39, short cap |
280000 |
400000 |
4.2 |
1.4 |
|
PB25G20209 |
2x2 |
Dia.6.6 |
TO-39, glass cap |
||||
|
PB25S30309S |
3x3 |
Dia.6.35 |
TO-39, short cap |
185000 |
260000 |
TBD |
TBD |
|
PB25G3030 |
3x3 |
Dia.6.6 |
TO-39, glass cap |
||||
|
PB25G20509 |
2x5 |
Dia.6.6 |
TO-39, glass cap |
80000 |
12000 |
||
|
PB25G38389 |
3.8x3.8 |
Dia.6.6 |
TO-39, glass cap |
115000 |
172000 |
||
|
PB25S50508M |
5x5 |
Dia.9.53 |
TO-8,medium cap |
110000 |
160000 |
||
|
PB25S60608M |
6x6 |
Dia.9.53 |
TO-8,medium cap |
90000 |
140000 |
||
|
PB25G20209X-Si |
2x2 |
Dia.6.35 |
Si-Sandwich |
280000 |
400000 |
4.2 |
1.4 |
|
型号 |
元件尺寸 mm |
孔径尺寸 mm |
特点 |
20%截止波长μm |
峰值 波长μm |
峰值响应度 V/W |
时间常数 μs |
封装 |
||
|
|
|
Min |
|
Typ. |
Typ. |
Min. |
Typ. |
Typ. |
Max. |
|
|
PB27S1010T17M |
1x1 |
Dia.6.35 |
1 stage cooling (max 1.6W) |
3.3 |
2.6 |
1300000 |
1950000 |
800 |
1600 |
TO-37, medium cap |
|
PB27ST17M |
2x2 |
650000 |
975000 |
|||||||
|
PB27ST17M |
3x3 |
430000 |
650000 |
|||||||
|
PB27ST1S6M |
5x5 |
Dia.9.5 |
260000 |
390000 |
TO-8 flange, medium cap |
|||||
|
PB27ST1S6M |
6x6 |
215000 |
325000 |
|||||||
|
PB27S2020T26L |
2x2 |
2 stage cooling (max 1.4W) |
660000 |
1000000 |
1250 |
2500 |
TO-8 flange, large cap |
|||
|
PB27S3030T26L |
3x3 |
440000 |
660000 |
|||||||
|
PB30S1010T2S6L |
1x1 |
2 stage cooling (max 3W) |
3.4 |
2.7 |
1500000 |
2200000 |
1750 |
3500 |
||
|
PB30S2020T2S6L |
2x2 |
750000 |
1100000 |
|||||||
|
PB30S3030T2S6L |
3x3 |
500000 |
730000 |
|||||||
|
PB30S6060T2S6L |
6x6 |
3.3 |
2.6 |
240000 |
3600000 |
|||||
全站型激光自准直仪
手动探针平台4060
First Sensor PIN光电二极管
高负载压电晶圆Z轴平台
可调脉宽和重复频率的超连续激光器
高衍射级次阻挡模组
衍射光学元件
功能可调的DOE
