Infrared碲镉汞探测器TEC是一款由美国Infrared Associates提供的红外探测器，还可称为TEC MCT探测器和热电冷却碲镉汞探测器，这款HgCdTe (MCT)探测器性能卓越，操作简便。热电冷却碲镉汞(MCT)探测器的波长范围2um至5um，HgCdTe探测器还可扩展到5um以上的波长区域工作，是Infrared红外探测器中应用较为广泛的一款。热电冷却 MCT 光电导探测器有标准型，扩展型和光学增强型探测器，MCT探测器带TEC可用于激光检测、热成像和气体分析等应用。
所属品牌： 美国InfraRed
应用类型：
产品型号：MCT-5-TE2-0.10，MCT-5-TE2-0.25，MCT-5-TE2-0.50
负责人：韦工
联系电话：18927460030
电子邮箱：bqwei@welloptics.cn
2µm-9µm，可用于热成像和气体分析的Infrared碲镉汞探测器TEC
Infrared
Associates提供一款高质量热电冷却光电导碲镉汞（MCT）探测器(Thermoelectric Cooled HgCdTe (MCT) detectors)供用户选择。Infrared碲镉汞探测器TEC的性能卓越，操作简便。标准TEC MCT探测器在2um至5um波长范围内进行了优化，扩展的Infrared红外探测器范围可在5um以上的波长区域工作，光学增强型探测器既有反射式光学元件，也有折射式光学元件，以提高这些设备的收集效率，这三种都有对应的标准品，统计在下面的规格参数表中。这些HgCdTe探测器明显增强的响应度和D*值依赖于光学元件的入射能量重新聚焦到探测器元件上的能力，这些MCT探测器带TEC设备最适用于入射能量是准直的或发散的应用场合。因此，光学增强型探测器非常适合于使用光纤的应用场合。
HgCdTe (MCT)探测器安装在TO型封装的两阶段，三阶段或四阶段冷却器上，如下表所示，每个型号都有对应的封装方式。热电冷却碲镉汞探测器的封装中包含一个校准热敏电阻，用于精确的温度监测或温度控制。焊接窗口和焊接帽用于密封封装，封装内回充惰性气体，以提高冷却器的运行效率。
可提供以下附件：前置放大器、电源、散热片和温度控制器。
另外，还可提供其他波长以及其他定制的产品，更多详情，请联系我们。
热电冷却碲镉汞(MCT)探测器图示
Infrared碲镉汞探测器TEC的应用：
- 热成像
- 激光检测
- 气体分析
- 铁路热箱
- 线路扫描仪
热电冷却碲镉汞(MCT)探测器的规格参数：
标准热电冷却 MCT 光电导探测器，HgCdTe (TE Cooled HgCdTe Detectors)
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型号 |
元件尺寸(mm) |
波长峰值 λp (µm) |
波长响应 (20% λco) (µm) |
D* (λp,10000,1) Jones |
电阻 (Ω) |
时间常数（µsec） |
工作温度 *°C |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
|
2 µm- 5 µm |
|||||||||
|
MCT-3.5-TE2-0.25 MCT-3.5-TE2-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~3.0 |
≥3.5 |
≥1.0E11 |
100-1500 |
≤2 |
-40 |
2-Stage TO-3 TO-8 TO-66 |
Sapphire 蓝宝石 |
|
MCT-4.5-TE2-0.25 MCT-4.5-TE2-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~4.0 |
≥4.5 |
≥4.0E10 |
|||||
|
MCT-5-TE2-0.10 MCT-5-TE2-0.25 MCT-5-TE2-0.50 MCT-5-TE2-1.00 |
0.10 X 0.10 0.25 X 0.25 0.50 X 0.50 1.00 X 1.00 |
~4.5 |
≥5.0 |
≥2.0E10 |
100-1500 |
||||
|
MCT-5-TE2-2.00 |
2.00 X 2.00 |
≥1.0E10 |
|||||||
|
MCT-4.5-TE3-0.25 MCT-4.5-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~4.0 |
≥4.5 |
≥6.0E10 |
100-1500 |
-65 |
3-Stage TO-3 TO-8 TO-66 |
||
|
MCT-5-TE3-0.10 MCT-5-TE3-0.25 MCT-5-TE3-0.50 MCT-5-TE3-1.00 |
0.10 X 0.10 0.25 X 0.25 0.50 X 0.50 1.00 X 1.00 |
~4.5 |
≥5.0 |
≥4.0E10 |
100-1500 |
||||
|
MCT-5-TE3-2.00 |
2.00 X 2.00 |
≥3.0E10 |
|||||||
|
MCT-5-TE4-0.10 MCT-5-TE4-0.25 MCT-5-TE4-0.50 MCT-5-TE4-1.00 |
0.10 X 0.10 0.25 X 0.25 0.50 X 0.50 1.00 X 1.00 |
≥6.0E10 |
-75 |
4-Stage TO-3 TO-66 |
|||||
|
MCT-5-TE4-2.00 |
2.00 X 2.00 |
≥4.0E10 |
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* 注：散热器温度为 30 摄氏度。
扩展范围的热电冷却碲镉汞(MCT)探测器(TE Cooled HgCdTe Detectors)
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型号 |
元件尺寸(mm) |
波长峰值 λp (µm) |
波长响应 (20% λco) (µm) |
D* (λp,10000,1) Jones |
电阻 (Ω) |
时间常数（µsec） |
工作温度 *°C |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
|
> 5 µm |
|||||||||
|
MCT-6-TE3-0.25 MCT-6-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~5.5 |
≥6.0 |
≥2.0E10 |
100-1500 |
≤2 |
-65 |
3-Stage TO-3 TO-66 |
AR涂层 ZnSe |
|
MCT-6-TE4-0.25 MCT-6-TE4-1.00 |
0.25 x 0.25 1.00 x 1.00 |
≥3.0E10 |
-75 |
4-Stage TO-3 TO-66 |
|||||
|
MCT-7-TE3-0.25 MCT-7-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~6.0 |
≥7.0 |
≥1.0E10 |
-65 |
3-Stage TO-3 TO-66 |
|||
|
MCT-7-TE4-0.25 MCT-7-TE4-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
≥1.5E10 |
-75 |
4-Stage TO-3 TO-66 |
|||||
|
MCT-8-TE3-0.25 MCT-8-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~7.0 |
≥8.0 |
≥3.0E9 |
-65 |
3-Stage TO-3 TO-66 |
|||
|
MCT-8-TE4-0.25 MCT-8-TE4-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
≥6.0E9 |
-75 |
4-Stage TO-3 TO-66 |
|||||
|
MCT-9-TE3-0.25 MCT-9-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~8.0 |
≥9.0 |
≥1.5E9 |
-65 |
3-Stage TO-3 TO-66 |
|||
|
MCT-9-TE4-0.25 MCT-9-TE4-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
≥2.0E9 |
-75 |
4-Stage TO-3 TO-66 |
|||||
* 注：散热器温度为 30 摄氏度。
光增强热电冷却碲镉汞(MCT)探测器(TE Cooled HgCdTe Detectors)
|
型号 |
元件尺寸(mm) |
波长峰值 λp (µm) |
波长响应 (20% λco) (µm) |
D* (λp,10000,1) Jones |
电阻 (Ω) |
时间常数（µsec） |
工作温度 *°C |
标准 Pkg. |
标准窗口 |
|
>5µm |
|||||||||
|
OE-MCT-6-TE3-0.25 OE-MCT-6-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~5.5 |
≥6.0 |
≥8.0E10 |
100-1500 |
≤2 |
-55 |
3-Stage TO-3 TO-66 |
AR涂层 ZnSe |
|
OE-MCT-7.5-TE3-0.25 OE-MCT-7.5-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~6.5 |
≥7.5 |
≥2.0E10 |
|||||
|
OE-MCT-8-TE3-0.25 OE-MCT-8-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~7.0 |
≥8.0 |
≥8.0E9 |
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|
OE-MCT-9-TE3-0.25 OE-MCT-9-TE3-1.00 |
0.25 X 0.25 1.00 X 1.00 |
~8.0 |
≥9.0 |
≥4.0E9 |
|||||
* 注：散热器温度为30摄氏度。
热电冷却 MCT 光电导探测器，HgCdTe的尺寸图：
标准封装TO-66图示：
TO-3封装图示：
