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Mg:SLT晶体,日本OXIDE可生长低缺陷密度、宽透明区域的掺镁钽酸锂晶体,用于电光调制器

作者:叶gx 时间:2024-11-14

日本OXIDE公司是一家专业提供电光调制晶体、激光器产品的厂家,OXIDE成功地生长了亚晶界自由化学计量比的电光调制晶体LiTaO3晶体(Mg:SLT晶体),掺镁钽酸锂晶体可用作电光调制晶体,用于电光调制器(Electro-Optic Modulator,简称EOM)等应用。


OXIDE Mg:SLT晶体(掺镁钽酸锂晶体)特点

- 低缺陷密度(低100倍)

- 宽透明区域(UV截止20nm以下)

- 大EONLO常数(d33>26.2pm/V

- 矫顽磁场小(<1-2kV/mm

- 高光折变损伤阈值(>5MW/cm²@532nm,连续激光)

- 高激光损伤阈值(>2GW/cm²@1064nm,脉冲激光)

- 几乎没有双折射指数

- 无GRIIRA(绿色诱导的IR吸收)


化学计量比LiTaO3晶体(掺镁钽酸锂晶体,Mg:SLT晶体)的性质

性质


【化学计量比】LiTaO3晶体(SLT

同质 LiTaO3 (CLT)

晶系


三角

空间群


R3c

居里温度

Tc(℃)

690,695 (MgO 掺杂)

[Li2O]:[Ta2O5]摩尔比(根据Tc估算)


49.95:50.05

晶格参数

c0 (nm)

0.51509

a0 (nm)

1.3773

吸收边缘2

(nm)

270

折射率3

no (nm)

2.1770 (@633nm)

ne (nm)

2.1745 (@633nm)

双折射

ne-no(nm)

-0.0025 (@633nm)

线性EO常数4

r31(pm/V)

8.4 (@633nm)

r33(pm/V)

30.5 (@633nm)

非线性光学常数5(基于CLT图)

d31(pm/V)

0.85

d33(pm/V)

13.8

畴切换电场(矫顽场)6

Ec (kV/mm)

1.7

约占 CLT 1/13

导热系数7

W/(m・K)

8.78、8.43(掺杂MgO

约为 CLT 2

光折变损伤阈值8

MW/cm2@532nm

2

200

绿光诱导红外吸收9

ppm/cm @3.6kW/cm2 连续绿光

<100

50 (MgO掺杂)

<1/3 CLT

注释:

1、M.Nakamura 等人,“未掺杂和掺杂 MgO 的近化学计量 LiTaO3 晶体的折射率”,Jpn. J. Appl. Phys. 41 L465 (2002)

2、《先进电子和光子材料与设备手册》,由 H.S. Nalwa 编辑,“第 4 卷:铁电体和电介质”,第 2 章,第 62 (2002)

2、V.Gopalan 等人,铌酸锂和钽酸锂铁电体的晶体生长、特性和域研究

3、M.Nakamura 等人,“未掺杂和掺杂 MgO 的近化学计量 LiTaO3 晶体的折射率”,Jpn. J. Appl. Phys. 41 L465 (2002)

4、Onuki, K., Uchida, N., Saku, T., “干涉法测量晶体中的电光系数”,J. Opt. Soc. Am. 62 (1972) 1030

5、I.Shoji 等人,“二阶非线性光学系数的绝对尺度”J.Opt. Soc. Am. B 14 p.2268 (1997)

6、T.Hatanaka 等人,“具有周期性极化化学计量 LiTaO3 的准相位匹配光学参量振荡”,J.Opt. Soc. Am. B 14p.2268(1997)

7、K. Kitamura 等人,Oyo buturi 74,第 573 页(2005 年)

8、K..Kitamura 等人,“光学器件铁电畴工程中 LiNbO3 LiTaO3 的非化学计量控制”,铁电体257,第 235 页(2001 年)

9、K..Kitamura 等人,“光学器件铁电畴工程中 LiNbO3 LiTaO3 的非化学计量控制”,铁电体257,第 235 页(2001 年)



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