Opto Diode最热销的光电二极管型号，AXUV100G和AXUV16ELG

AXUV100G光电二极管适合用于大面积检测，Opto Diode提供AXUV16ELG光电二极管阵列，以紧凑的封装方式提供AXUV、SXUV、UVG和 NXIR系列的所有优点。Opto Diode光电二极管可以应用于汽车，生物技术，食品加工、医疗、军事/国防、工业、半导体设备制造。

AXUV100G光电二极管是电子检测的理想选择，大检测面积、防护罩板。Opto Diode AXUV100G光电二极管具有从0.0124nm到190nm的光子，电子或X射线的高性能测量功能，具有卓越的100%内部量子效率，可检测100eV至50keV的能量。AXUV100G光电二极管的有效面积是100mm²，在VB=±10mV测试条件下，分流电阻最小值是20欧姆，在IR=1µA测试条件下，反向击穿电压最小值是5V，典型值是10V。在VR=0V测试条件下，电容的典型值是5nF，最大值是15 nF。在VR=0V, RL=50 Ω测试条件下，上升时间是10μs。AXUV100G光电二极管响应率最小值是0.07，典型值是0.08。

AXUV100G光电二极管典型的电子响应

典型EUV-UV光子响应

典型的UV-VIS-NIR光子响应

电容和电压

暗电流与电压

AXUV16ELG光电二极管阵列

AXUV16ELG光电二级管阵列采用40针双列式封装，是电子检测的理想选择。有保护性盖板，以保护光电二极管阵列和导线连接。Opto Diode AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列，Opto Diode公司AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下，有效面积的典型值是10mm²。当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时，电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。

AXUV16ELG光电二级管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C，在氮气和真空下温度是-20°C~80°C，引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。

图1AXUV16ELG光电二级管阵列典型的电子响应

图2典型EUV-UV光子响应

图3典型的UV-VIS-NIR光子响应

图4电容与电压

图5暗电流与电压